I semiconduttori bidimensionali (2D) sono una classe di materiali semiconduttori con spessori su scala atomica. Questi materiali hanno numerose proprietà vantaggiose, tra cui una buona mobilità a spessori inferiori a 1 nm, che li rendono particolarmente promettenti per lo sviluppo di transistor ad effetto di campo (FET) e altri componenti elettronici, fotonici e optoelettronici.
Nonostante i loro vantaggi, quando vengono utilizzati per costruire componenti elettronici, questi materiali spesso presentano una stabilità elettrica limitata. La ragione principale di ciò è che i portatori di carica provenienti dai semiconduttori possono con difetti negli isolanti che interagire con i materiali all’interno dei dispositivi, ostacolando la stabilità dei dispositivi.

I ricercatori di TU Wien AMO GmbH hanno recentemente dimostrato una che potrebbe essere utilizzata per migliorare la stabilità dei FET e della

strategia materiali 2D. Questa strategia introdotta in un articolo pubblicato su Nature Electronics, comporta un punto del livello di Fermi dei materiali 2D, assicurando che massimizzi la distanza di energia tra i portatori di messaggero e i difetti nell’isolatore di gate mentre il dispositivo è in funzione .

Inoltre, la stessa strategia potrebbe essere applicabile a un’ampia gamma di isolanti, compresi gli isolanti cristallini. Nei loro prossimi studi, i ricercatori intendono testare ulteriormente la strategia, per i livelli di stabilità che potrebbe consentire con diverse combinazioni di proposta materiali.